컴퓨터구조 - 주기억장치의 종류

주기억장치의 종류

반도체 기억장치
- 디지털 시스템의 프로그램이나 데이터를 저장하는 주기억장치에 널리 사용
- RAM : 저장 위치에 상관없이 같은 시간에 접근이 가능
- 휘발성인 read/write RAM과 비휘발성인 ROM(read only memory)

 

①반도체 기억장치의 구조

기억장치의 용량
 - 기억장치의 가로 길이 : 워드, 길이는 m비트
 - 기억장치의 세로 길이 : 워드의 개수, 2의 n승개

기억장치 주소 레지스터 (MAR)
 - 기억장치에 접근할 때 필요한 워드의 주소를 임실 저장하는 장치
 - 2의 n승개의 워드의 주소를 표현하려면 n비트가 필요

기억장치 주소 레지스터 (MBR)
 - 기억장치와 CPU 등의 외부장치 사이에서 전송되는 데이터를 임시로 저장
 - 워드 단위로 데이터를 입출력하므로 m비트가 필요

 

②반도체 기억장치의 동작

 - 기억장치는 2진수의 데이터를 저장하고 필요에 따라 이들을 인출
 - 쓰기, 읽기, 주소지정 동작이 실행

쓰기 동작
기억장치에 데이터를 저장하는 동작
한 워드의 데이터를 기억장치에 저장하는 쓰기 과정
 - 1단계 : 주소 레지스터에 있는 주소 코드(101)를 주소 버스에 싣는다. 주소 디코더는 주소를 해석하여 기억장치의  위치(5)를 선택한다.
 - 2단계 : 기억장치는 쓰기 명령을 받아 데이터 레지스터에 있던 데이터(1000 1101)를 데이터 버스에 싣는다.
- 3단계 : 주소에 근거하여 선택된 기억장치 위치에 데이터를 저장하여 쓰기 동작을 완료한다.

 

읽기 동작
기억장치에 저장되어 있는 데이터를 인출해 요구한 장치로 전달해주는 동작
한 위드의 데이터를 지정된 주소 위치에서 읽는 과정
- 1단계 : 주소 레지스터에 있는 주소 코드(011)를 주소 버스에 싣는다. 주소 디코더는 주소 코드를 해석하여 기억장치 위치(3)를 선택
 - 2단계 : 기억장치는 read 명령을 받아 선택된 기억장치 주소에 저장되어 있던 바이트 데이터 (10001101)를 데이터 버스에 싣는다.
 - 3단계 : 기억장치에서 읽은 데이터를 데이터 레지스터에 적재하여 read 동작을 완료한다.